Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 220-7378
- Tillv. art.nr:
- IPB031N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
239,01 kr
(exkl. moms)
298,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 990 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 47,802 kr | 239,01 kr |
| 25 - 45 | 40,164 kr | 200,82 kr |
| 50 - 120 | 37,766 kr | 188,83 kr |
| 125 - 245 | 34,90 kr | 174,50 kr |
| 250 + | 32,524 kr | 162,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7378
- Tillv. art.nr:
- IPB031N08N5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 5 80 V industriell effekt-MOSFET IPB031N08N5 erbjuder en RDS(on)-reduktion på 43 % jämfört med tidigare generationer och är idealiskt lämpad för höga omkopplingsfrekvenser. Enheterna i denna familj är speciellt utformade för synkron likriktering i telekom- och serverströmförsörjning. Dessutom kan de också användas i andra industriella tillämpningar som solenergi, lågspänningsenheter och adaptrar.
Optimerad för synkron likriktare
Idealisk för hög omkopplingsfrekvens
Minskning av utgångskapacitet med upp till 44 %
RR DS(on)-reduktion på upp till 44 %
Högsta systemeffektivitet
Minskade kopplings- och ledningsförluster
Färre parallellkoppling krävs
Ökad effekttäthet
Låg spänningsöverspänning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 70 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 12 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3