Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 220-7376
- Tillv. art.nr:
- IPB019N08N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
140,56 kr
(exkl. moms)
175,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 884 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 70,28 kr | 140,56 kr |
| 20 - 48 | 66,135 kr | 132,27 kr |
| 50 - 98 | 61,935 kr | 123,87 kr |
| 100 - 198 | 57,68 kr | 115,36 kr |
| 200 + | 53,37 kr | 106,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7376
- Tillv. art.nr:
- IPB019N08N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS är marknadsledande inom mycket effektiva lösningar för strömgenerering (t. ex. solcellsmikroväxelriktare), strömförsörjning (t. ex. server och telekom) och strömförbrukning (t. ex. elfordon).
Optimerad teknik för DC/DC-omvandlare
Utmärkt grindladdning x R DS(ON)-produkt (FOM)
Överlägsen värmebeständighet
Dubbelsidig kylning
Låg parasitisk induktans
<
N-kanal, normal nivå
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 120 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 12 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3