Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 220-7372
- Tillv. art.nr:
- IPB011N04LGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
79,97 kr
(exkl. moms)
99,962 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 3 924 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 39,985 kr | 79,97 kr |
| 10 - 18 | 36,065 kr | 72,13 kr |
| 20 - 48 | 33,60 kr | 67,20 kr |
| 50 - 98 | 31,25 kr | 62,50 kr |
| 100 + | 28,785 kr | 57,57 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7372
- Tillv. art.nr:
- IPB011N04LGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 180A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS 40 V är ett perfekt val för synkron likriktering i switchade nätaggregat (SMPS) som de som finns i servrar och stationära datorer. Dessutom kan dessa enheter användas för ett brett spektrum av industriella tillämpningar, inklusive motorstyrning och snabbväxlande DC-DC-omvandlare.
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
Mycket låg påslagningsresistans R DS(on)
Idealisk för snabba omkopplingstillämpningar
RoHS-kompatibel - halogenfri
Högsta systemeffektivitet
Färre parallellkoppling krävs
Ökad effekttäthet
Systemkostnadsreducering
Mycket låg spänningsöverskridning
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 180 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 120 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, OptiMOS 3