STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT10N120H

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-3950
Tillv. art.nr:
SCT10N120H
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

SiC-effektmodul

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

12 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

1.2 kV

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

3

Kapseltyp

Hip-247

Serie

SCT10N120H

Maximal drain-källresistans (Rds)

0.52 Ω

Typ av fäste

Genomgående hål

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247 package, allows designers to use an industry standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

Very tight variation of on-resistance vs. temperature

Very high operating junction temperature capability (TJ = 200°C)

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.