Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

RS-artikelnummer:: 215-2509
Tillv. art.nr:: IPD70R600P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

184,80 kr

(exkl. moms)

231,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 28 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	7,392 kr	184,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 215-2509
Tillv. art.nr:: IPD70R600P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	8.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds	700V
	Serie	700V CoolMOS P7
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	600mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	10.5nC
	Maximal effektförlust Pd	10.5W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A
	Maximal källspänning för dränering Vds 700V
	Serie 700V CoolMOS P7
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.5nC
	Maximal effektförlust Pd 10.5W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPD70R600P7SAUMA1

Infineon 700 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V drain-källspänning, 8,5 A kontinuerlig drain-ström – IPD70R600P7SAUMA1

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar. Den fungerar i förstärkningsläge och är avsedd för kretsar som kräver förhöjd dränerings- och källspänningskapacitet samtidigt som den ger måttlig ledningsförmåga och värmehantering för kompakta SMD-layouter.

Funktioner och fördelar:

• 700 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsuppgifter
• Kontinuerlig dräneringsström på 8.5 A stöder hållbar lastledning
• 600 mΩ Rds(on) begränsar ledningsförluster i konstruktioner med medelstor effekt
• Maximal effektförlust på 10,5 W möjliggör tillförlitlig termisk marginal
• 10,5 nC typisk grindladdning ger snabbare grindövergångar
• ±20 V gate-tolerans möjliggör standard gate-driven spänning

Användningsområden

• Lämplig för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för omvandlingssteg på primärsidans strömförsörjning
• Används med resonans- och hårdkopplade topologier
• Kan användas för förkopplingsdon för industriell belysning
• Används i kompakta SMD-effektmoduler

Vilket temperaturområde tål den i drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, täcker ett brett spektrum av termiska miljöer.

Hur många elektriska anslutningar har den för kretskortslayout?

Enheten har tre stift i en TO‐252-kapsel för ytmontering som kräver konventionell SMD-design.

Vilka ledningsegenskaper bestämmer spänningsfallet under påslagningstillståndet?

Påslagningsresistansen på 600 mΩ definierar spänningsfallet vid en given avtappningsström och påverkar ledningsförlusterna.

Hur påverkar grinddrivningen omkopplingsprestanda?

Den typiska grindladdningen på 10,5 nC vid Vgs-förhållanden påverkar den erforderliga drivströmmen och omkopplingshastigheten för en given grinddrivare.