Infineon N Kanal, MOSFET, 240 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

32 524,00 kr

(exkl. moms)

40 656,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +16,262 kr32 524,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2484
Tillv. art.nr:
IAUT240N08S5N019ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

240A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

HSOF

Serie

OptiMOS 5

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

230W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

100nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon 80 V, N-kanal, 1,9 mΩ max, fordons-MOSFET, TOLL, OptiMOSTM-5.

N-kanal – Förbättringsläge

AEC-godkänd

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Grön produkt (RoHS-kompatibel)

Ultralåg Rds(on)

100 % avalanche-testad

Relaterade länkar