Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9700
- Tillv. art.nr:
- TSM170N06PQ56
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
185,63 kr
(exkl. moms)
232,03 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 1 625 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 7,425 kr | 185,63 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9700
- Tillv. art.nr:
- TSM170N06PQ56
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 17mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 73.5W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.1mm | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC, RoHS, WEEE | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 17mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 73.5W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.1mm | ||
Bredd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden IEC, RoHS, WEEE | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025