Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 48 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9683
- Tillv. art.nr:
- TSM110NB04DCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
214,23 kr
(exkl. moms)
267,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 4 950 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 8,569 kr | 214,23 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9683
- Tillv. art.nr:
- TSM110NB04DCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 48A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.2mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 48A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.2mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 5.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025