Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9652
Tillv. art.nr:
TSM033NB04CR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

121A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

PDFN56

Serie

TSM025

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

3.3mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

79nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

36W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6mm

Höjd

1.05mm

Bredd

3.81mm

Standarder/godkännanden

WEEE 2002/96/EC, RoHS 2011/65/EU, IEC 61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.