Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
216-9703
Tillv. art.nr:
TSM220NB06LCR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

35A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PDFN56

Serie

TSM025

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

22mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Maximal effektförlust Pd

68W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE

Bredd

4.2mm

Höjd

1.1mm

Längd

6.2mm

Fordonsstandard

Nej

"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.