Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9689
Tillv. art.nr:
TSM130NB06LCR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

51A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

PDFN56

Serie

TSM025

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

13mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

83W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

1.1mm

Längd

6.2mm

Bredd

5.2mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.

Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.