Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer att finnas i lager igen, den har utgått från tillverkaren.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
216-9689
Tillv. art.nr:
TSM130NB06LCR
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

51A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

TSM025

Kapseltyp

PDFN56

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

13mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

83W

Framåtriktad spänning Vf

1V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

37nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Längd

6.2mm

Fordonsstandard

Nej

The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Relaterade länkar