Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 67 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9679
- Tillv. art.nr:
- TSM089N08LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 216-9679
- Tillv. art.nr:
- TSM089N08LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 67A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 90nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Maximal arbetstemperatur | 155°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 67A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 90nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Maximal arbetstemperatur 155°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5mm | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 67 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025