Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9650
- Tillv. art.nr:
- TSM025NB04LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 216-9650
- Tillv. art.nr:
- TSM025NB04LCR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 161A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | TSM025 | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 112nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 135W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 3.81mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Längd | 6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 161A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie TSM025 | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 112nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 135W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 3.81mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Längd 6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 124 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 67 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025