Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9664
- Tillv. art.nr:
- TSM055N03EPQ56
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 216-9664
- Tillv. art.nr:
- TSM055N03EPQ56
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 74W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21 | |
| Bredd | 5mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 74W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21 | ||
Bredd 5mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Halogenfri enligt IEC 61249-2-21
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 67 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 24 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 30 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 161 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025