Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9672
- Tillv. art.nr:
- TSM080N03EPQ56
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 50 enheter)*
612,30 kr
(exkl. moms)
765,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 6 600 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 12,246 kr | 612,30 kr |
| 100 - 200 | 10,996 kr | 549,80 kr |
| 250 - 450 | 10,79 kr | 539,50 kr |
| 500 - 950 | 10,017 kr | 500,85 kr |
| 1000 + | 9,809 kr | 490,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9672
- Tillv. art.nr:
- TSM080N03EPQ56
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | TSM025 | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 54W | |
| Maximal arbetstemperatur | 155°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie TSM025 | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 54W | ||
Maximal arbetstemperatur 155°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 6mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
not founs
The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 55 A 30 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 121 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 124 A 30 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 80 A 30 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 161 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 54 A 40 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 24 A 150 V Förbättring PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal 25 A 60 V Förbättring PDFN56, TSM025