Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

12 740,00 kr

(exkl. moms)

15 925,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 5 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +5,096 kr12 740,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
216-9671
Tillv. art.nr:
TSM080N03EPQ56
Tillverkare / varumärke:
Taiwan Semiconductor
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Taiwan Semiconductor

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TSM025

Kapseltyp

PDFN56

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1V

Maximal effektförlust Pd

54W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7.1nC

Maximal arbetstemperatur

155°C

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC

Längd

6mm

Fordonsstandard

Nej

not founs


The Taiwan semiconductor single N channel power MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.

Low RDS(ON) to minimize conductive losses Low gate charge for fast power switching 100% UIS and Rg tested

Relaterade länkar