Taiwan Semiconductor N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- RS-artikelnummer:
- 216-9659
- Tillv. art.nr:
- TSM045NB06CR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
269,42 kr
(exkl. moms)
336,78 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Håller på att utgå
- Slutlig(a) 970 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 26,942 kr | 269,42 kr |
| 50 - 90 | 26,403 kr | 264,03 kr |
| 100 - 240 | 24,221 kr | 242,21 kr |
| 250 - 990 | 23,736 kr | 237,36 kr |
| 1000 + | 22,039 kr | 220,39 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 216-9659
- Tillv. art.nr:
- TSM045NB06CR
- Tillverkare / varumärke:
- Taiwan Semiconductor
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Taiwan Semiconductor | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 104A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 104nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 136W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Taiwan Semiconductor | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 104A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 104nC | ||
Maximal effektförlust Pd 136W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Taiwan Semiconductor effekt MOSFET-transistorer med en N-kanal, står för ""Metaloxid Semiconductor Field-Effect-transistorer""." MOSFET-transistorer är transistornheter som styrs av en kondensator. "Fälteffekten innebär att de styrs av spänning." Målet med en MOSFET är att styra flödet av strömmen som passerar genom källan till avtappningsterminalerna.
Låg RDS(ON) för att minimera ledningsförluster Låg grindladdning för snabb strömomkoppling 100 % UIS- och Rg-testad
Relaterade länkar
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 104 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 35 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 121 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025
- Taiwan Semiconductor Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PDFN56, TSM025