ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 8 Ben, HSOP, HP
- RS-artikelnummer:
- 215-9752
- Tillv. art.nr:
- HP8K24TB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
107,52 kr
(exkl. moms)
134,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Leverans från den 30 oktober 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 10,752 kr | 107,52 kr |
| 50 - 90 | 10,539 kr | 105,39 kr |
| 100 - 240 | 7,986 kr | 79,86 kr |
| 250 - 990 | 7,818 kr | 78,18 kr |
| 1000 + | 6,518 kr | 65,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-9752
- Tillv. art.nr:
- HP8K24TB
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HP | |
| Kapseltyp | HSOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 31W | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Bredd | 6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HP | ||
Kapseltyp HSOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Maximal effektförlust Pd 31W | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.1mm | ||
Bredd 6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Relaterade länkar
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KC5
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 8.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KE5
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 6.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HT8KE5H
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 16.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KB5
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 43 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS1
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 135 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RQ3N060AT
