ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- RS-artikelnummer:
- 687-364
- Tillv. art.nr:
- HP8KF7HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
33,27 kr
(exkl. moms)
41,588 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 94 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 16,635 kr | 33,27 kr |
| 20 - 48 | 14,67 kr | 29,34 kr |
| 50 - 198 | 13,165 kr | 26,33 kr |
| 200 - 998 | 10,61 kr | 21,22 kr |
| 1000 + | 10,35 kr | 20,70 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-364
- Tillv. art.nr:
- HP8KF7HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | HP8KF7H | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 62mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 26W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie HP8KF7H | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 62mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 26W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET är utformad för att effektivt hantera ström i olika elektroniska tillämpningar. Med en låg påslagningsresistans på 62 mΩ och ett kompakt HSOP8-paket säkerställer denna MOSFET överlägsen värmehantering och hög tillförlitlighet. Dess specifikationer stöder en kontinuerlig dräneringsström på ±18,5 A, vilket gör den idealisk för krävande uppgifter som motorstyrningar. Med utmärkt energieffektivitet och överensstämmelse med RoHS- och halogenfria standarder integreras den sömlöst i avancerade elektroniska konstruktioner samtidigt som den säkerställer miljöansvar.
Optimerad för låg påslagningsresistans, vilket förbättrar den övergripande effektiviteten
Kompakt HSOP8-paket möjliggör utrymmesbesparande konstruktioner
Idealisk för en mängd olika tillämpningar, inklusive motordrivningar
Uppfyller RoHS- och halogenfria krav för miljösäkerhet
Höga kontinuerliga och pulserande dräneringsströmvärden säkerställer tillförlitlighet under belastning
Utmärkt värmehantering med låg värmebeständighet
Utformad för högpresterande omkopplingstillämpningar med minimal fördröjning
Stabil drift över ett brett temperaturområde från -55 till +150 °C
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6G122CH
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 300 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RSG120
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 6.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HT8KE5H
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 8.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KE5
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 16.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KB5
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KC5
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT