ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 8.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KE5
- RS-artikelnummer:
- 331-686
- Tillv. art.nr:
- HP8KE5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
72,80 kr
(exkl. moms)
91,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 11 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,28 kr | 72,80 kr |
| 100 - 240 | 6,922 kr | 69,22 kr |
| 250 - 490 | 6,406 kr | 64,06 kr |
| 500 - 990 | 5,902 kr | 59,02 kr |
| 1000 + | 5,667 kr | 56,67 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 331-686
- Tillv. art.nr:
- HP8KE5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Dubbel N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HP8KE5 | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 193mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 20W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Dubbel N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HP8KE5 | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 193mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 20W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET är en MOSFET med låg påslagningsresistans som är idealisk för omkopplings- och motordrivartillämpningar. Denna effekt-MOSFET levereras i ett litet paket för ytmontering.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfria
100 procent Rg- och UIS-testat
Relaterade länkar
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KC5
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 6.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HT8KE5H
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 16.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KB5
- ROHM 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 80 A 30 V Förbättring, 8 Ben, HSOP, HP
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, 8.5 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SOP