Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 215-2508
- Tillv. art.nr:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2500 enheter)*
8 567,50 kr
(exkl. moms)
10 710,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 3,427 kr | 8 567,50 kr |
| 5000 + | 3,386 kr | 8 465,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2508
- Tillv. art.nr:
- IPD70R600P7SAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 10.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 10.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V drain-källspänning, 8,5 A kontinuerlig drain-ström – IPD70R600P7SAUMA1
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar. Den fungerar i förstärkningsläge och är avsedd för kretsar som kräver förhöjd dränerings- och källspänningskapacitet samtidigt som den ger måttlig ledningsförmåga och värmehantering för kompakta SMD-layouter.
Funktioner och fördelar:
• 700 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsuppgifter
• Kontinuerlig dräneringsström på 8.5 A stöder hållbar lastledning
• 600 mΩ Rds(on) begränsar ledningsförluster i konstruktioner med medelstor effekt
• Maximal effektförlust på 10,5 W möjliggör tillförlitlig termisk marginal
• 10,5 nC typisk grindladdning ger snabbare grindövergångar
• ±20 V gate-tolerans möjliggör standard gate-driven spänning
• Kontinuerlig dräneringsström på 8.5 A stöder hållbar lastledning
• 600 mΩ Rds(on) begränsar ledningsförluster i konstruktioner med medelstor effekt
• Maximal effektförlust på 10,5 W möjliggör tillförlitlig termisk marginal
• 10,5 nC typisk grindladdning ger snabbare grindövergångar
• ±20 V gate-tolerans möjliggör standard gate-driven spänning
Användningsområden
• Lämplig för switchade nätaggregat med hög spänning
• Idealisk för omvandlingssteg på primärsidans strömförsörjning
• Används med resonans- och hårdkopplade topologier
• Kan användas för förkopplingsdon för industriell belysning
• Används i kompakta SMD-effektmoduler
• Idealisk för omvandlingssteg på primärsidans strömförsörjning
• Används med resonans- och hårdkopplade topologier
• Kan användas för förkopplingsdon för industriell belysning
• Används i kompakta SMD-effektmoduler
Vilket temperaturområde tål den i drift?
Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, täcker ett brett spektrum av termiska miljöer.
Hur många elektriska anslutningar har den för kretskortslayout?
Enheten har tre stift i en TO‐252-kapsel för ytmontering som kräver konventionell SMD-design.
Vilka ledningsegenskaper bestämmer spänningsfallet under påslagningstillståndet?
Påslagningsresistansen på 600 mΩ definierar spänningsfallet vid en given avtappningsström och påverkar ledningsförlusterna.
Hur påverkar grinddrivningen omkopplingsprestanda?
Den typiska grindladdningen på 10,5 nC vid Vgs-förhållanden påverkar den erforderliga drivströmmen och omkopplingshastigheten för en given grinddrivare.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7