Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

RS-artikelnummer:: 214-4394
Tillv. art.nr:: IPD70R900P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

Antal (50 enheter, i en förpackning med 50)*

261,40 kr

(exkl. moms)

326,75 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 1 600 enhet(er) från den 28 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
50 +	5,228 kr	261,40 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4394
Tillv. art.nr:: IPD70R900P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	6A
	Maximal källspänning för dränering Vds	700V
	Serie	700V CoolMOS P7
	Kapseltyp	TO-252
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	900mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	30.5W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	6.8nC
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	2.35mm
	Bredd	6.42mm
	Längd	6.65mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A
	Maximal källspänning för dränering Vds 700V
	Serie 700V CoolMOS P7
	Kapseltyp TO-252
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 900mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 30.5W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.8nC
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 2.35mm
	Bredd 6.42mm
	Längd 6.65mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPD70R900P7SAUMA1

Infineon 700 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 6 A maximal kontinuerlig drain-ström - IPD70R900P7SAUMA1

Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal och är utformad för effektomvandling och omkopplingstillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för ytmonterade kraftkonstruktioner där hög blockeringsspänning och måttlig strömkapacitet krävs. Enheten stöder drift i förstärkningsläge och är lämplig för system som kräver kompakta kraftkomponenter med kontrollerade gate-drivningsegenskaper.

Funktioner och fördelar:

• 700 V blockeringsspänning möjliggör högspänningsomkoppling
• 6 A kontinuerlig dräneringsström för måttlig belastningshantering
• 900 mΩ Rds(on) begränsar ledningsförluster under belastning
• 6.8 nC typisk grindladdning för snabbare grindövergångar
• Maximal effektförlust på 30.5 W för termiskt huvudutrymme
• Maximalt 16 V gate-source-klassning möjliggör robust gate-drivning

Användningsområden

• Lämplig för SMPS primära omkopplingsuppgifter i högspänningsförsörjningar
• Idealisk för offline-strömförsörjningar som kräver 700 V-blockering
• Används med strömomvandlare som behöver måttlig konstant ström
• Kan användas för switchade topologier i industriell utrustning
• Lämplig för kompakta ytmonterade strömförsörjningsenheter

Vilken kapslingstyp finns för kortmontering?

Den levereras i en TO-252-förpackning för ytmontering som möjliggör lödda kretskortsfästen och effektiv termisk kontakt.

Hur påverkar temperaturområdet användningen i tuffa miljöer?

Enheten är specifik för drift från -40 °C upp till 150 °C, vilket stöder tillämpningar med förhöjda kopplingstemperaturer och stora omgivningsvariationer.

Vilka begränsningar för grinddrivning bör iakttas i konstruktioner?

Grinden får inte överstiga ±16 V i förhållande till källan, så grinddrivkretsar bör innehålla klämning eller nivåförskjutning för att förhindra överspänning.

Hur påverkar enhetens kanal och läge kretstopologin?

Som en N-kanalförstärkningsenhet kräver den en positiv gate-källspänning för att leda och är lämplig för låg- eller hög-sidig omkoppling med lämpliga drivararrangemang.