Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 218-3013
- Tillv. art.nr:
- IPA70R600P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (20 enheter, i en förpackning med 20)*
151,42 kr
(exkl. moms)
189,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 7,571 kr | 151,42 kr |
| 100 - 180 | 7,196 kr | 143,92 kr |
| 200 - 480 | 7,045 kr | 140,90 kr |
| 500 - 980 | 6,586 kr | 131,72 kr |
| 1000 + | 6,143 kr | 122,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3013
- Tillv. art.nr:
- IPA70R600P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Maximal effektförlust Pd | 24.9W | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Maximal effektförlust Pd 24.9W | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V drain-källspänning, 8,5 A kontinuerlig drain-ström – IPA70R600P7SXKSA1
Denna MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för strömomkoppling i hålanordningar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för tillämpningar som kräver betydande spänningsblockering och kontrollerad grindstyrning när den är monterad i en TO-220-kapsel.
Funktioner och fördelar:
• 700 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• Kontinuerlig dräneringsström på 8.5 A stöder måttliga strömbelastningar
• 600 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under omkopplingscykler
• 0,9 V förspänningsbegränsning för diodfall under omkoppling
• 24.9 W effektförlust möjliggör betydande termisk genomströmning
• 30 V maximal gate-källspänning möjliggör standard gate-drivspänningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 8.5 A stöder måttliga strömbelastningar
• 600 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under omkopplingscykler
• 0,9 V förspänningsbegränsning för diodfall under omkoppling
• 24.9 W effektförlust möjliggör betydande termisk genomströmning
• 30 V maximal gate-källspänning möjliggör standard gate-drivspänningar
Användningsområden
• Används för omkoppling i högspänningsströmförsörjningar
• Lämplig för industriella högspänningsomvandlare och växelriktare
• Idealisk för genomgående hålprototyper som kräver robust värmeavledning
• Kan användas för medelströms telekomeffektsteg
• Används med diskreta gate-drivkretsar i labbtestsystem
• Lämplig för industriella högspänningsomvandlare och växelriktare
• Idealisk för genomgående hålprototyper som kräver robust värmeavledning
• Kan användas för medelströms telekomeffektsteg
• Används med diskreta gate-drivkretsar i labbtestsystem
Vilka driftstemperaturer tål den?
Den fungerar i ett temperaturområde från -40 °C till +150 °C.
Hur ska den monteras för optimal termisk prestanda?
Formatet TO-220 med genomgående hål är avsett för montering av kylelement med skruvförslutning för att maximera avledningen.
Vilka begränsningar för grinddrivning måste iakttas?
Grindkällans spänning får inte överstiga 30 V för att undvika grindskador.
Vilka lednings- och omkopplingsfaktorer påverkar valet?
Ledningsförlusterna relaterar till motståndet på 600 mΩ och kopplingsbeteendet påverkas av diodens 0,9 V-karaktäristik.
Är denna enhet specificerad för fordonsstandardtillämpningar?
Den uppfyller inte fordonsstandarder och bör utvärderas i enlighet därmed.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V N, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 700 V P, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 700V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, 700V CoolMOS P7