Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 700V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

192,42 kr

(exkl. moms)

240,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 2 480 enhet(er) levereras från den 04 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 809,621 kr192,42 kr
100 - 1807,515 kr150,30 kr
200 - 4807,034 kr140,68 kr
500 - 9806,547 kr130,94 kr
1000 +6,311 kr126,22 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
214-4392
Tillv. art.nr:
IPD70R360P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

360mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.4nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Maximal effektförlust Pd

59.5W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.42mm

Höjd

2.35mm

Längd

6.65mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon 700 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V drain-källspänning, 12,5 A kontinuerlig drain-ström – IPD70R360P7SAUMA1


Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkopplingsläge och andra effekthanteringsroller. Det är en ytmonterad komponent avsedd för användning där robust spänningsblockering och omkopplingsförmåga behövs i kompakta monteringar. Enheten fungerar i ett brett temperaturområde och stöder typiska gate-drivspänningar för kraftelektroniktillämpningar.

Funktioner och fördelar:


• 700 V blockeringskapacitet möjliggör högspänningsdesigner
• Kontinuerlig dräneringsström på 12.5 A stöder betydande belastningsströmmar
• RDS(on) på 360 mΩ minimerar ledningsförluster under belastning
• Effektförlust på 59,5 W möjliggör hållbar värmehantering
• Gate-laddning 16.4 nC minskar energiförluster vid omkoppling
• VGS-klassning ±16 V möjliggör standardgrinddrivarmarginaler

Användningsområden


• Lämplig för högspännings SMPS-primärbrytare
• Idealisk för industriella strömomvandlarsteg
• Används med flyback- och framåtriktade topologier i leveranser
• Kan användas för effektfaktorkorrigeringsfrontändar
• Lämplig för högspänningstestning och laboratorieinställningar

Vilket temperaturområde kan enheten tolerera under drift?


Den är specifik för drift från -40 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i krävande termiska miljöer.

Vilket paket ska jag förvänta mig för kortlayout?


Delen levereras i en TO-252-förpackning för ytmontering med tre stift för enkel integrering av kretskortsfotavtryck.

Vad är framåtriktad ledningsegenskap vid omkoppling?


Den framåtriktade spänningen är 0,9 V vilket påverkar beräkningarna av ledningsförlust under drift i påslagen läge.

Hur ska gate-drivningskonstruktion ta hänsyn till omkopplingsbeteende?


Använd den typiska grindladdningen på 16,4 nC för att mäta drivström och omkopplingstiming för önskade övergångshastigheter.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.