Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

11 826,00 kr

(exkl. moms)

14 784,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30003,942 kr11 826,00 kr
6000 +3,745 kr11 235,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2525
Tillv. art.nr:
IPN70R360P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

700V CoolMOS P7

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

360mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

7.2W

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.4nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon 700 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 12,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPN70R360P7SATMA1


Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonterade strömtillämpningar. Den fungerar över ett utökat omgivningstemperaturområde och är lämplig för kretsar som kräver robust spänningshantering, låg ledningsdrift och kontrollerad grindstyrning. Komponenten levereras i ett kompakt SOT-223-paket avsett för kortmonterade effektsteg.

Funktioner och fördelar:


• 700 V nominell dräneringstolerans möjliggör högspänningskoppling
• 360 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastningscykler
• Kontinuerlig dräneringsström på 12.5 A med stöd för måttlig effektgenomströmning
• 16.4 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 0,9 V framspänning minskar spänningsfall i ledningsläge
• 7,2 W maximal avledning hanterar termisk belastning i kompakta layouter

Användningsområden


• Lämplig för offline-switchade nätaggregat
• Idealisk för högspänningskonverterare på primärsidan
• Används med resonanta eller hårt växlande topologier
• Kan användas för extra kraftskenor i industriella system
• Används för boost- och flyback-steg med medelstor ström

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas för säker drift?


Enheten får inte drivas utöver ±20 V mellan grind och källa för att förhindra grindoxidbelastning.

Hur fungerar enheten i extrema temperaturer?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i både kalla start- och högtemperaturmiljöer med försämrade Rds(on) som förväntas vid förhöjda temperaturer.

Vilka monteringsöverväganden är relevanta för värmehantering?


Som ett ytmonterat SOT-223-paket, tillräcklig kopparyta och termiska ledningar på kretskortet rekommenderas att dissipera upp till 7,2 W effektgränsen.

Hur påverkar grindladdning drivkraven?


Den typiska 16,4 nC grindladdningen definierar drivströmmen och omkopplingsförlusterna, vilket informerar valet av grinddrivare och snubbar för önskad omkopplingshastighet.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.