Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 22.4 A 600 V Förbättring, 5 Ben, VSON, CoolMOS P6
- RS-artikelnummer:
- 214-9074
- Tillv. art.nr:
- IPL60R180P6AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
110,21 kr
(exkl. moms)
137,76 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 2 950 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,042 kr | 110,21 kr |
| 50 - 120 | 20,966 kr | 104,83 kr |
| 125 - 245 | 20,07 kr | 100,35 kr |
| 250 - 495 | 19,578 kr | 97,89 kr |
| 500 + | 19,062 kr | 95,31 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9074
- Tillv. art.nr:
- IPL60R180P6AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 22.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Kapseltyp | VSON | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 180mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 176W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 8.1mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 22.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Kapseltyp VSON | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 180mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximal effektförlust Pd 176W | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 8.1mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS P6 series combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The offered devices provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter and cooler.
Increased MOSFET dv/dt ruggedness
Easy to use/drive
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 22.4 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 19.2 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS P6
- Infineon Typ N Kanal 13 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 15 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 20 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS C7
- Infineon Typ N Kanal 16 A 600 V Förbättring VSON, CoolMOS CFD7
- Infineon Typ N Kanal 97 A 650 V Förbättring VSON, CoolMOS
- Infineon Typ N Kanal 23.8 A 600 V Förbättring TO-220, CoolMOS P6
