Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, IPI AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
214-9063
Tillv. art.nr:
IPI120N08S403AKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

120A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

TO-262

Serie

IPI

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

128nC

Maximal effektförlust Pd

278W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

23.45mm

Längd

10.2mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Relaterade länkar