Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, IPI AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9063
- Tillv. art.nr:
- IPI120N08S403AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 214-9063
- Tillv. art.nr:
- IPI120N08S403AKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Lagstiftning och ursprungsland
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | TO-262 | |
| Serie | IPI | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 278W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 128nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 4.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.2mm | |
| Höjd | 23.45mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp TO-262 | ||
Serie IPI | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 278W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 128nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 4.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.2mm | ||
Höjd 23.45mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, IPI AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101