Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 214-9068
- Tillv. art.nr:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
208,32 kr
(exkl. moms)
260,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 250 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 20,832 kr | 208,32 kr |
| 50 - 90 | 19,802 kr | 198,02 kr |
| 100 - 240 | 18,962 kr | 189,62 kr |
| 250 - 490 | 18,133 kr | 181,33 kr |
| 500 + | 16,878 kr | 168,78 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9068
- Tillv. art.nr:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-262 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 79W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 23.45mm | |
| Längd | 10.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-262 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 79W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 23.45mm | ||
Längd 10.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons sortiment av nya OptiMOS -T2 har en rad energieffektiva MOSFET-transistorer med koldioxidreducering och elektriska drivningar. Den nya OptiMOS -T2-produktfamiljen utökar de befintliga OptiMOS -T- och OptiMOS-familjerna. OptiMOS-produkter finns i högpresterande kapslingar för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
Produkten är AEC Q101-kvalificerad
Den har en drifttemperatur på 175 °C
100 % avalanche-testad
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS -T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101