Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

131,18 kr

(exkl. moms)

163,98 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 490 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +13,118 kr131,18 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-3063
Tillv. art.nr:
IPI45N06S409AKSA2
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

45A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-262

Serie

OptiMOS-T2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

9.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

36nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

71W

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

23.45mm

Längd

10.2mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOSTM-T2-serien N-kanal fordons-MOSFET integrerad med I2PAK (TO-262)-typpaket.

N-kanal – Förbättringsläge

MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning

175 °C drifttemperatur

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.