Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 218-3063
- Tillv. art.nr:
- IPI45N06S409AKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
131,18 kr
(exkl. moms)
163,98 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 490 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 13,118 kr | 131,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3063
- Tillv. art.nr:
- IPI45N06S409AKSA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Kapseltyp | TO-262 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 71W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 36nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.4mm | |
| Höjd | 23.45mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Kapseltyp TO-262 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 71W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 36nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.4mm | ||
Höjd 23.45mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOSTM-T2-serien N-kanal fordons-MOSFET integrerad med I2PAK (TO-262)-typpaket.
N-kanal – Förbättringsläge
MSL1 upp till 260 °C topp omsmältning
175 °C drifttemperatur
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS-T2 AEC-Q101
