Sök efter MPN

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET

RS-artikelnummer:: 907-5028
Tillv. art.nr:: IRF540NLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-262, HEXFET

Mängdrabatt möjlig

Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

153,33 kr

(exkl. moms)

191,66 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

40 enhet(er) är redo att levereras
Dessutom levereras 440 enhet(er) från den 01 september 2026
Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 22 april 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
10 - 90	15,333 kr	153,33 kr
100 - 240	14,571 kr	145,71 kr
250 - 490	13,955 kr	139,55 kr
500 - 990	13,35 kr	133,50 kr
1000 +	12,421 kr	124,21 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 907-5028
Tillv. art.nr:: IRF540NLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	33A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	TO-262
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Genomgående hål
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	44mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	71nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	130W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Längd	10.67mm
	Höjd	9.65mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 33A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp TO-262
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Genomgående hål
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 44mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 130W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Längd 10.67mm
	Höjd 9.65mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

N-kanals effekt-MOSFET 100V, Infineon

Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanals enheter i ytmonterade och blyade kapslingar. Och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.

MOSFET-transistorer, Infineon

Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.