Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -120 A -40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 258-3798
- Tillv. art.nr:
- IPB120P04P404ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
39,65 kr
(exkl. moms)
49,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 955 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 39,65 kr |
| 10 - 24 | 37,63 kr |
| 25 - 49 | 36,18 kr |
| 50 - 99 | 34,50 kr |
| 100 + | 32,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 258-3798
- Tillv. art.nr:
- IPB120P04P404ATMA2
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon iPB-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 120 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPB120P04P404ATMA2
Denna P-kanal MOSFET är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i krävande elektroniska system. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver låga ledningsförluster och kompakt värmehantering. Enheten uppfyller industrins miljöbegränsningar och uppfyller fordonskvalitetsstandarder, vilket gör den lämplig för robust fordonselektronik och effektregleringsmoduler.
Funktioner och fördelar:
• Låg påslagningsresistans minskar ledningsförluster vid drift med hög ström
• Hög kontinuerlig dräneringsström med stöd för omkoppling vid hög belastning
• Bred temperaturkapacitet bevarar drift i extrema miljöer
• Låg framåtvänd spänning minimerar spänningsfall i strömkanaler
• Ytmonteringspaketet underlättar kompakta, termiskt effektiva kretskortslayouter
• Hög kontinuerlig dräneringsström med stöd för omkoppling vid hög belastning
• Bred temperaturkapacitet bevarar drift i extrema miljöer
• Låg framåtvänd spänning minimerar spänningsfall i strömkanaler
• Ytmonteringspaketet underlättar kompakta, termiskt effektiva kretskortslayouter
Användningsområden
• Lämpligt för DC-DC-omvandlare i fordonsindustrin
• Idealisk för hantering av högströmsenergi i fordonssystem
• Används med batteriskydd och distributionsmoduler
• Kan användas för lastomkoppling i högströmsenheter
• Idealisk för hantering av högströmsenergi i fordonssystem
• Används med batteriskydd och distributionsmoduler
• Kan användas för lastomkoppling i högströmsenheter
Vilken typ av förpackning använder enheten?
Den levereras i en TO‐263-förpackning för ytmontering.
Vilka miljögodkännanden gäller för denna komponent?
Komponenten är RoHS-kompatibel och uppfyller AEC-Q101-standarderna för fordonsindustrin.
Vad är enhetens kanalkonfiguration och läge?
Det är en P-kanal med förstärkningsläge.
Vilka elektriska gränsvärden bör konstruktörer respektera för säker drift?
Den maximala dräneringsspänningen är 40 V och den maximala kontinuerliga dräneringsströmmen är 120 A.
Vilket temperaturområde kan förväntas under drift?
Den tillåtna driftstemperaturen varierar från -55 °C till +175 °C.
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -120 A -40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 80 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101