Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 259-1550
- Tillv. art.nr:
- IPB120N04S402ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
70,11 kr
(exkl. moms)
87,64 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 35,055 kr | 70,11 kr |
| 20 - 48 | 31,64 kr | 63,28 kr |
| 50 - 98 | 29,79 kr | 59,58 kr |
| 100 - 198 | 29,01 kr | 58,02 kr |
| 200 + | 28,225 kr | 56,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 259-1550
- Tillv. art.nr:
- IPB120N04S402ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 120A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.80mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | +175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 120A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.80mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur +175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon iPB-serien MOSFET, 40 V drain-source-spänning, 120 A kontinuerlig drain-ström – IPB120N04S402ATMA1
Denna MOSFET är en N-kanal med förstärkningsläge för hög strömstyrka utformad för ytmonterad strömomkoppling. Den fungerar över ett brett temperaturområde som är lämpligt för krävande miljöer och överensstämmer med industrins miljödirektiv och fordonsbelastningsstandarder.
Funktioner och fördelar:
• 1.80 mΩ låg Rds(on) minskar ledningsförluster
• 40 V nominell spänning stöder medelspänningseffektsteg
• Kontinuerlig dräneringsström på 120 A möjliggör hög strömförsörjning
• TO-263-ytpaket förenklar värmehanteringen
• Område -55 °C till +175 °C för drift vid extrema temperaturer
• 40 V nominell spänning stöder medelspänningseffektsteg
• Kontinuerlig dräneringsström på 120 A möjliggör hög strömförsörjning
• TO-263-ytpaket förenklar värmehanteringen
• Område -55 °C till +175 °C för drift vid extrema temperaturer
Användningsområden
• Lämplig för fordonsströmomvandlingsmoduler
• Idealisk för industriella motordriftsteg
• Används med högströms-DC-fördelningssystem
• Kan användas för strömomkoppling i tuffa miljöer
• Idealisk för industriella motordriftsteg
• Används med högströms-DC-fördelningssystem
• Kan användas för strömomkoppling i tuffa miljöer
Vilken monteringsstil kräver den?
Den är avsedd för ytmontering i TO-263-kapselformat.
Vilka extrema temperaturer kan den motstå under drift?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till +175 °C.
Uppfyller den fordonskvalificeringsstandarder?
Den uppfyller AEC-Q101-kvalifikationen för fordonsindustrin.
Vilken kanalkonfiguration och vilket läge använder den?
Det är en N-kanalstransistor med förstärkningsläge.
Finns det miljöbegränsningar för dess material?
Den är RoHS-kompatibel.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 120 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -120 A -40 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 60 V Förbättring, TO-263, iPB AEC-Q101
