Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 80 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 214-4327
Tillv. art.nr:: BSC117N08NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 80 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

28 830,00 kr

(exkl. moms)

36 040,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

10 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	5,766 kr	28 830,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4327
Tillv. art.nr:: BSC117N08NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	49A
	Maximal källspänning för dränering Vds	80V
	Kapseltyp	SuperSO
	Serie	OptiMOS 5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	11.7mΩ
	Kanalläge	N
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal effektförlust Pd	50W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	15nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.2mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	5.35mm
	Bredd	6.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 49A
	Maximal källspänning för dränering Vds 80V
	Kapseltyp SuperSO
	Serie OptiMOS 5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 11.7mΩ
	Kanalläge N
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal effektförlust Pd 50W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.2mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 5.35mm
	Bredd 6.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC117N08NS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 80 V drain-källspänning, 49 A kontinuerlig drain-ström – BSC117N08NS5ATMA1

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanals effekttransistor som är utformad för högströmsomkoppling i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig för tillämpningar som kräver effektiv ledning och snabb omkoppling. Enheten levereras i en åttapolig SuperSO-kapsel och är avsedd för användning där låg påslagningsresistans och betydande dräneringsströmskapacitet krävs.

Funktioner och fördelar:

• 11.7 mΩ Rds(on) möjliggör minskade ledningsförluster
• 49 A kontinuerlig dräneringsström för hantering av tung belastning
• 80 V drain-source-klassning för högspänningsswitchning
• 15 nC grindladdning för responsiv omkopplingskontroll
• Maximal effektförlust på 50 W för robust termisk prestanda

Användningsområden

• Lämplig för högeffektiva nätaggregat i elektronik
• Idealisk för DC/DC-omvandlare och synkron likriktare
• Används med motorstyrenheter som kräver hög strömkapacitet
• Kan användas för telekom- och serverströmdistribution
• Lämplig för kompakta, ytmonterade enheter med hög densitet

Vilka extrema temperaturer tål den under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C och klarar tuffa termiska förhållanden.

Hur hjälper paketet till att utforma på kortnivå?

SuperSO-layouten med åtta stift och den låga höjden på 1.2 mm möjliggör tät placering av komponenter och routing med låg induktans.

Vad är den typiska framspänningen under ledning?

Enheten uppvisar en framåtvänd spänning på 1,1 V under specificerade ledningsförhållanden, vilket påverkar ledningsförlustberäkningarna.

Vilken maximal grindbelastning bör konstruktionen tillåta?

Grinden bör drivas inom ±20 V för att undvika att överskrida den maximala värdespänningen för grindkällan.