Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 214-4329
Tillv. art.nr:: BSC160N15NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

57 995,00 kr

(exkl. moms)

72 495,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 14 oktober 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	11,599 kr	57 995,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4329
Tillv. art.nr:: BSC160N15NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	56A
	Maximal källspänning för dränering Vds	150V
	Serie	OptiMOS 5
	Kapseltyp	SuperSO
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	16mΩ
	Kanalläge	N
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	19nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal effektförlust Pd	96W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5.35mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.2mm
	Bredd	6.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 56A
	Maximal källspänning för dränering Vds 150V
	Serie OptiMOS 5
	Kapseltyp SuperSO
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 16mΩ
	Kanalläge N
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal effektförlust Pd 96W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5.35mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.2mm
	Bredd 6.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC160N15NS5ATMA1

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 150 V maximal drain-källspänning, 56 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC160N15NS5ATMA1

Denna MOSFET är en högspänningseffekttransistor med N-kanal som är utformad för ytmonteringstillämpningar där effektiv omkoppling och hög strömkapacitet krävs. Den fungerar över ett brett temperaturområde som lämpar sig för krävande termiska miljöer och är avsedd för konstruktörer som behöver en kompakt, högpresterande enhet i ett SuperSO-paket.

Funktioner och fördelar:

• 150 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 16 mΩ Rds(on) minimerar ledningsförluster under belastning
• Kontinuerlig dräneringsström på 56 A stöder konstruktioner med hög ström
• 19 nC grindladdning minskar drivenergi och omkopplingsförluster
• 96 W effektförlust möjliggör kontinuerlig termisk belastning

Användningsområden

• Passar för DC/DC-omvandlare i industriell utrustning
• Idealisk för synkron likriktering i strömförsörjningar
• Används för motorstyrningssteg som kräver hög ström
• Kan användas för eldistributionsmoduler för telekom
• Lämplig för högspänningsswitching i servernätverksskenor

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den fungerar mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med både kallstart och hög temperatur.

Hur många anslutningsstift har förpackningen?

Kapseln har åtta stift för att underlätta kompakta kretsar för ytmontering.

Vilken mekanisk profil bör konstruktörer tillåta?

Enheten mäter 1,2 mm i höjd, 5,35 mm i längd och 6,1 mm i bredd för planering av fotavtryck.

Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas för tillförlitlig drift?

Enheten får inte drivas utöver ±20 V mellan grind och källa för att undvika skador.