Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 250 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

87 975,00 kr

(exkl. moms)

109 970,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 25 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +17,595 kr87 975,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2482
Tillv. art.nr:
BSC670N25NSFDATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

250V

Kapseltyp

SuperSO

Serie

OptiMOS 3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

67mΩ

Kanalläge

N

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

22nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

150W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

5.49mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.1mm

Längd

6.35mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOSTM snabb diod (FD) 200 V, 250 V och 300 V är optimerad för hård kommutering av kroppsdioder. Dessa enheter är det perfekta valet för hårda omkopplingstillämpningar som telekom, industriella nätaggregat, klass D-ljudförstärkare, motorstyrning och DC-AC-växelriktare.

N-kanal, normal nivå

Klassad för 175 °C

Utmärkt grindladdning x RDS(on)-produkt (FOM)

Mycket låg på-resistans RDS(on)

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Kvalificerad enligt JEDEC1) för målanvändning

Halogenfri enligt IEC61249-2-21

Idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.