Infineon N Kanal, MOSFET, 95 A 80 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

41 665,00 kr

(exkl. moms)

52 080,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 30 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +8,333 kr41 665,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2460
Tillv. art.nr:
BSC052N08NS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

95A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

SuperSO

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

5.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

32nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

83W

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon OptiMOSTM5Power-transistor har 80 V maximal dräneringskällspänning med SuperSO8 5x6-kapseltyp. Den har potentiell tillämpning som telekomserver, solenergi, lågspänningsenheter, lätta elfordon och adapter. Den är optimerad för högpresterande SMPS, t. ex. sync .rec och överlägsen termisk resistans.

Optimerad för synkron likriktare

Idealisk för hög omkopplingsfrekvens

Minskning av utgångskapacitet med upp till 44 %

RR DS(on)-reduktion på upp till 44 %

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.