Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 214-4323
- Tillv. art.nr:
- BSC065N06LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 75 till för att spara 44,85 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
183,02 kr
(exkl. moms)
228,77 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 09 november 2026
- Dessutom levereras 4 440 enhet(er) från den 16 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 15 - 60 | 12,201 kr | 183,02 kr | - |
| 75 - 135 | 11,603 kr | 174,05 kr | 44,85 kr |
| 150 - 360 | 11,103 kr | 166,55 kr | 164,70 kr |
| 375 - 735 | 10,617 kr | 159,26 kr | 594,00 kr |
| 750 + | 9,871 kr | 148,07 kr | 1 747,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4323
- Tillv. art.nr:
- BSC065N06LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 64A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | SuperSO | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9.2mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 46W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 10nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.2mm | |
| Bredd | 6.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp SuperSO | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9.2mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 46W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.2mm | ||
Bredd 6.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 64 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC065N06LS5ATMA1
Funktioner och fördelar:
• Hög kontinuerlig dräneringsström 64 A möjliggör hantering av tung belastning
• Drain-source-klassningsspänning 60 V stöder medelspänningssystem
• Gate-laddning 10 nC möjliggör snabba växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 46 W möjliggör kontinuerlig kraftöverföring
• Gate-source tål 20 V och passar vanliga gate-drivspänningar
Användningsområden
• Idealisk för motorstyrningsstegen i industriella styrenheter
• Används med batterihanteringskretsar för högströmsväxling
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i telekomutrustning
• Lämplig för server- och datorkort med strömreglering
Vilka termiska extremer tål den under drift?
Hur stöder förpackningen kretskortsmontering och layout?
Vilket omkopplingsbeteende kan designers förvänta sig under gate-drivning?
Hur passar enheten för högströmstillämpningar på kompakta kort?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 234 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 250 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 56 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 49 A 80 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, MOSFET, 87 A 150 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5
