Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 214-4318
Tillv. art.nr:: BSC014N04LSIATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 40 V, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

32 040,00 kr

(exkl. moms)

40 050,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 11 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	6,408 kr	32 040,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4318
Tillv. art.nr:: BSC014N04LSIATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	195A
	Maximal källspänning för dränering Vds	40V
	Serie	OptiMOS
	Kapseltyp	SuperSO
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	2mΩ
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	55nC
	Framåtriktad spänning Vf	700mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	96W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5.35mm
	Bredd	6.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.2mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 195A
	Maximal källspänning för dränering Vds 40V
	Serie OptiMOS
	Kapseltyp SuperSO
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 2mΩ
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 55nC
	Framåtriktad spänning Vf 700mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 96W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5.35mm
	Bredd 6.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.2mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC014N04LSIATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 40 V maximal drain-källspänning, 195 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC014N04LSIATMA1

Denna MOSFET är en högströmsomkopplingstransistor som är utformad för ytmonterade effekttillämpningar där låg ledningsförlust och robust termisk hållbarhet krävs. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är lämplig för krävande elektroniska miljöer som behöver effektiv N-kanalswitchning vid måttliga drain-source-spänningar.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg Rds(on) på 2 mΩ minskar ledningsförlusterna vid hög ström
• Maximal kontinuerlig dräneringsström 195 A stöder tunga laster
• Maximal effektförlust på 96 W möjliggör hållbar effekthantering
• Maximal drain-källspänning 40 V möjliggör användning av system med måttlig spänning
• Typisk grindladdning på 55 nC ger förutsägbar omkopplingsenergi
• Maximal grind-källspänning 20 V skyddar grinden från överdriven drift

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlare i strömfördelningssystem
• Idealisk för motordrivningssteg som kräver hög kontinuerlig ström
• Används med batterihanteringsmoduler som behöver låg ledningsförlust
• Kan användas för synkronlikriktelse i nätaggregat
• Lämplig för omkoppling av högströmslaster på kretskort

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den är specifik för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med låg och förhöjd temperatur utan nedgradering utanför enhetsgränserna.

Hur stöder förpackningen kretskortsmontering och kylning?

Enheten levereras i ett SuperSO 8-stifts ytmonterat paket med minimal monteringshöjd för att underlätta kompakta kretskortslayouter och effektiva kretskortsledande kylvägar.

Vilken typ av ledningskanal använder den och hur påverkar det omkopplingen?

Den använder en N-kanaltopologi, som erbjuder låg påslagningsresistans för effektiv ledning och konventionell gate-drivningspolaritet för vanliga drivkretsar.

Vilken framspänningsprestanda kan förväntas under ledning?

Framspänningen är vanligtvis 0,7 V under specificerade förhållanden, vilket bidrar till totala effektförlustberäkningar i systemdesign.