Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 214-4322
Tillv. art.nr:: BSC065N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 64 A 60 V N, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

24 860,00 kr

(exkl. moms)

31 075,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 19 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	4,972 kr	24 860,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4322
Tillv. art.nr:: BSC065N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	64A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	9.2mΩ
	Kanalläge	N
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	10nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	46W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Längd	5.35mm
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.2mm
	Bredd	6.1mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 64A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp SuperSO
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 9.2mΩ
	Kanalläge N
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 10nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 46W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Längd 5.35mm
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.2mm
	Bredd 6.1mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC065N06LS5ATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 64 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC065N06LS5ATMA1

Denna MOSFET är en högströmshalvledarenhet med N-kanal som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde för krävande miljöer och levereras i ett 8-stifts SuperSO-paket för ytmontering som är lämpligt för täta kortlayouter. Enheten stöder medelspänningskonverteringsuppgifter där snabb omkoppling och låga ledningsförluster krävs.

Funktioner och fördelar:

• Mycket låg påslagningsresistans på 9.2 mΩ minskar ledningsförlusterna
• Hög kontinuerlig dräneringsström 64 A möjliggör hantering av tung belastning
• Drain-source-klassningsspänning 60 V stöder medelspänningssystem
• Gate-laddning 10 nC möjliggör snabba växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 46 W möjliggör kontinuerlig kraftöverföring
• Gate-source tål 20 V och passar vanliga gate-drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för motorstyrningsstegen i industriella styrenheter
• Används med batterihanteringskretsar för högströmsväxling
• Kan användas för DC/DC-omvandlare i telekomutrustning
• Lämplig för server- och datorkort med strömreglering

Vilka termiska extremer tål den under drift?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 150 °C omgivningsförhållanden, vilket möjliggör användning i både koldstarts- och högtemperaturmiljöer.

Hur stöder förpackningen kretskortsmontering och layout?

SuperSO-format för ytmontering med ett 8-stifts fotavtryck underlättar automatiserad placering och konservativa termiska vägar för kylning av lödda kort.

Vilket omkopplingsbeteende kan designers förvänta sig under gate-drivning?

Med en typisk grindladdning på 10 nC är omkopplingsövergångar snabba samtidigt som grinddrivarens strömkrav är måttliga för de flesta drivrutiner.

Hur passar enheten för högströmstillämpningar på kompakta kort?

Kombinationen av 64 A kontinuerlig strömkapacitet och låg påslagningsresistans gör det möjligt för designers att leverera betydande ström inom begränsat kortutrymme samtidigt som I2R-förluster begränsas.