Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

15 700,00 kr

(exkl. moms)

19 600,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 10 000 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
5000 +3,14 kr15 700,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2464
Tillv. art.nr:
BSC094N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

47A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

SuperSO

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

13.4mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

9.4nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

36W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons OptiMOSTM 5-effekt-MOSFET-logiknivå är mycket lämplig för trådlös laddning, adapter och telekomapplikationer. Enheternas låga grindladdning (Q g) minskar omkopplingsförluster utan att kompromissa med ledningsförluster. De förbättrade meritfaktorerna möjliggör drift vid höga omkopplingsfrekvenser. Dessutom ger logiknivådrivningen en låg gränsspänning (V GS(the)) vilket gör att MOSFET:erna kan drivas vid 5 V och direkt från mikrokontroller.

Låg R DS(on) i liten kapsel

Låg grindladdning

Lägre utgångsladdning

Kompatibilitet med logiknivå

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.