Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 215-2464
Tillv. art.nr:: BSC094N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 47 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

15 700,00 kr

(exkl. moms)

19 600,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 10 000 enhet(er) från den 14 oktober 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	3,14 kr	15 700,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 215-2464
Tillv. art.nr:: BSC094N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	47A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	13.4mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	36W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	9.4nC
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 47A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp SuperSO
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 13.4mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 36W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.4nC
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSC094N06LS5ATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 47 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSC094N06LS5ATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalsförstärkningstransistor avsedd för högströmsomkoppling i ytmonterade enheter. Den fungerar över ett brett temperaturområde för krävande miljöer och passar strömomvandlingsroller där en måttlig dräneringskällspänning och låga ledningsförluster krävs.

Funktioner och fördelar:

• 60 V avtappningsklassning möjliggör omkoppling vid medelspänning
• 47 A kontinuerlig ström stöder tillämpningar med hög belastning
• 13.4 mΩ Rds(on) minskar förlusten av ledningseffekt
• Maximal förlust på 36 W möjliggör betydande effekthantering
• 9,4 nC typisk grindladdning optimerar omkopplingsenergi
• 20 V grindtolerans möjliggör flexibla drivspänningar

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-regulatorsteg
• Idealisk för halvbrygga för motordrivare
• Används i serverströmhanteringsfrontändar
• Kan användas för batteriskydd och batteridistribution
• Lämplig för DC/DC-omvandlare med hög strömstyrka

Vilka extrema temperaturer tål den under drift?

Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med både kallstart och förhöjd temperatur.

Hur är den fysiskt förpackad för montering?

Enheten levereras i en SuperSO-förpackning för ytmontering med åtta stift för kretskortsmontering och automatiserad montering.

Vilket omkopplingsbeteende kan konstruktörer förvänta sig under gate-drivenhet?

Med en typisk grindladdning på 9,4 nC erbjuder den en balans mellan omkopplingshastighet och drivenergi, vilket möjliggör effektiva övergångar när den drivs från vanliga grinddrivare.

Är enheten optimerad för lågspänningsfall i ledning?

det låga dräneringskällmotståndet på 13,4 mΩ minimerar spänningsfall under belastning, vilket minskar värmegenerering under kontinuerlig drift.