STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V
- RS-artikelnummer:
- 213-3942
- Tillv. art.nr:
- SCTL35N65G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
173,15 kr
(exkl. moms)
216,44 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 173,15 kr |
| 10 - 99 | 145,15 kr |
| 100 - 499 | 143,36 kr |
| 500 - 999 | 141,68 kr |
| 1000 + | 140,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-3942
- Tillv. art.nr:
- SCTL35N65G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | SCTL35N65G2V | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 67mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 417W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 8.1mm | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Bredd | 8.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie SCTL35N65G2V | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 67mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 417W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 8.1mm | ||
Höjd 0.95mm | ||
Bredd 8.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics SCTL35N65G2V kiselkarbid-effekt-MOSFET-enhet har utvecklats med hjälp av avancerad och innovativ 2: a generationens SiC MOSFET-teknik, har anmärkningsvärt låg påslagningsresistans per enhet och mycket god omkopplingsprestanda.
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Låg kapacitans
Källdetekteringsstift för ökad effektivitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT, SCTL35N65G2V
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 58 A 650 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, ST8L65
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 35 A 650 V N, 5 Ben, PowerFlat HV, ST8L65N0
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 44 A 650 V N, 5 Ben, PowerFlat HV, ST8L65N0
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 160 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL160
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, Stl
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 268 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL