STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

4 296,21 kr

(exkl. moms)

5 370,27 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 840 enhet(er) från den 02 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +143,207 kr4 296,21 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
201-0859
Tillv. art.nr:
SCTW35N65G2V
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

45A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

Hip-247

Serie

SCTW35

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

45mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

240W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

22 V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

73nC

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

5.15 mm

Höjd

15.75mm

Längd

14.8mm

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 45m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

Very fast and robust intrinsic body diode

Low capacitance

Relaterade länkar