STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- RS-artikelnummer:
- 202-5488
- Tillv. art.nr:
- SCTW35N65G2VAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 enhet)*
146,50 kr
(exkl. moms)
183,12 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 146,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5488
- Tillv. art.nr:
- SCTW35N65G2VAG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.055Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 240W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 15.75mm | |
| Bredd | 5.15mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 34.95mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.055Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximal effektförlust Pd 240W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 15.75mm | ||
Bredd 5.15mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 34.95mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics silikonkarbid-effekt-MOSFET av fordonskvalitet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 2:a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda.
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Låg kapacitans
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET-moduler, 45 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 16 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, HIP-247-3, SCT AEC-Q101