STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- RS-artikelnummer:
- 233-0472
- Tillv. art.nr:
- SCTWA35N65G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rör med 30 enheter)*
4 153,41 kr
(exkl. moms)
5 191,77 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 210 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 + | 138,447 kr | 4 153,41 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 233-0472
- Tillv. art.nr:
- SCTWA35N65G2V-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V-4 | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 67mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 240W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 20.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V-4 | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 67mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 240W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 20.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 5.1mm | ||
Bredd 21.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 2: a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av omkopplingsförlusten är nästan oberoende av samlingstemperaturen.
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Låg kapacitet
Källdetekteringsstift för ökad effektivitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW90
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics 1 N Kanal, MOSFET Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT