STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- RS-artikelnummer:
- 204-3959
- Tillv. art.nr:
- SCTWA35N65G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 204-3959
- Tillv. art.nr:
- SCTWA35N65G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | SiC-effektmodul | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.072Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 240W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Höjd | 41.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp SiC-effektmodul | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.072Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 240W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Höjd 41.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of both on-resistance and switching losses is almost independent of junction temperature.
Low capacitance
Very fast and robust intrinsic body diode
Very tight variation of on-resistance vs. temperature
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 16 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101