STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- RS-artikelnummer:
- 204-3959
- Tillv. art.nr:
- SCTWA35N65G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig
- RS-artikelnummer:
- 204-3959
- Tillv. art.nr:
- SCTWA35N65G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | SiC-effektmodul | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.072Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 240W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Längd | 15.9mm | |
| Höjd | 41.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp SiC-effektmodul | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.072Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximal effektförlust Pd 240W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Längd 15.9mm | ||
Höjd 41.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid-effekt-MOSFET har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 2: a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av både påslagningsresistans och omkopplingsförluster är nästan oberoende av kopplingstemperaturen.
Låg kapacitans
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Mycket snäva variationer av på-motstånd vs. temperatur
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, SiC-effektmodul, 16 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101