STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- RS-artikelnummer:
- 204-3959
- Tillv. art.nr:
- SCTWA35N65G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 204-3959
- Tillv. art.nr:
- SCTWA35N65G2V
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | SiC-effektmodul | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 45A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCTWA35N65G2V | |
| Kapseltyp | Hip-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.072Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 240W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3.3V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 73nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 15.9mm | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Höjd | 41.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp SiC-effektmodul | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCTWA35N65G2V | ||
Kapseltyp Hip-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.072Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 240W | ||
Framåtriktad spänning Vf 3.3V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 73nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 15.9mm | ||
Bredd 5.1mm | ||
Höjd 41.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid-effekt-MOSFET har utvecklats med ST: s avancerade och innovativa 2: a generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har anmärkningsvärt lågt på-motstånd per enhet och mycket god omkopplingsprestanda. Variationen av både påslagningsresistans och omkopplingsförluster är nästan oberoende av kopplingstemperaturen.
Låg kapacitans
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Mycket snäva variationer av på-motstånd vs. temperatur
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA35N65G2V-4
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 45 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT30N120H
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT10N120H
- STMicroelectronics N Kanal, 55 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCTW35
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 12 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, SiC-effektmodul, 16 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101