STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 119 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247, SCTWA90N65G2V-4

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

8 801,31 kr

(exkl. moms)

11 001,63 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +293,377 kr8 801,31 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
213-3943
Tillv. art.nr:
SCTWA90N65G2V-4
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

119A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SCTWA90N65G2V-4

Kapseltyp

Hip-247

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

24mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

2.5V

Maximal effektförlust Pd

656W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

157nC

Maximal arbetstemperatur

200°C

Längd

15.9mm

Höjd

5.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The STMicroelectronics SCTWA90N65G2V-4 silicon carbide Power MOSFET device has been developed using advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology, features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance.

High speed switching performance

Very high operating junction temperature capability

Very fast and robust intrinsic body diode

Extremely low gate charge and input capacitance

Source sensing pin for increased efficiency

Relaterade länkar