STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, 7 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
192-4849
Tillv. art.nr:
STL13N60M6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Antal element per chip

1

Kanaltyp

N

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

7 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

600 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

8

Kapseltyp

PowerFLAT (5 x 6) HV

Framåtriktad spänning (Vf)

1.6 V

Höjd

950 μm

Längd

6 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

415 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

25 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

52 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Bredd

5 mm

COO (ursprungsland):
CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

Zener-protected

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.