Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- RS-artikelnummer:
- 200-6848
- Tillv. art.nr:
- SiSS63DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 200-6848
- Tillv. art.nr:
- SiSS63DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 127.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen III | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 236nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 65.8W | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 3.3mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 127.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen III | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 236nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 65.8W | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 3.3mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay SiSS63DN-T1-GE3 är en P-kanal 20 V (D-S) MOSFET.
TrenchFET Gen III p-kanals effekt-MOSFET
Ledarskap RDS(on) i kompakt och termiskt förbättrad förpackning
100 % Rg och UIS-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 60 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET