Vishay 2 N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- RS-artikelnummer:
- 188-5025
- Tillv. art.nr:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
152,32 kr
(exkl. moms)
190,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 30,464 kr | 152,32 kr |
| 50 - 120 | 27,372 kr | 136,86 kr |
| 125 - 245 | 22,848 kr | 114,24 kr |
| 250 - 495 | 18,188 kr | 90,94 kr |
| 500 + | 15,276 kr | 76,38 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-5025
- Tillv. art.nr:
- SiSF20DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 52A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 69.4W | |
| Transistorkonfiguration | Gemensam drain | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Bredd | 3.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 3.4mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 52A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal effektförlust Pd 69.4W | ||
Transistorkonfiguration Gemensam drain | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 0.75mm | ||
Bredd 3.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 3.4mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Gemensam – Drain Dual N-kanal 60 V (S1-S2) MOSFET.
TrenchFET® Gen IV effekt-MOSFET
Mycket låg käll-till-källmotstånd
Integrerade n-kanals MOSFET med gemensam drain i ett kompakt och termiskt förbättrat paket
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 52 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay 2 Typ N Kanal Gemensam drain, Effekt-MOSFET, 60 A 25 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 108 A 45 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 92.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 127.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET Gen III
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 35 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 361 A 80 V N, 8 Ben, PowerPAK 10 x 12, TrenchFET Gen IV