DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMP AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100
- RS-artikelnummer:
- 182-7376
- Tillv. art.nr:
- DMP34M4SPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
87,45 kr
(exkl. moms)
109,31 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 2 340 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 8,745 kr | 87,45 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7376
- Tillv. art.nr:
- DMP34M4SPS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerDI5060 | |
| Serie | DMP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 127nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerDI5060 | ||
Serie DMP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 127nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
This new generation MOSFET is designed to minimize RDS(ON) and yet maintain superior switching performance. This device is ideal for use in notebook battery power management and load switch.
100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production
Thermally Efficient Package – Cooler Running Applications
High Conversion Efficiency
Low RDS(ON) – Minimizes On State Losses
<1.1mm Package Profile – Ideal for Thin Applications
Lead-free finish
Halogen and Antimony Free. Green Device
Application
Switch
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ P Kanal 21 A 30 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ P Kanal 150 A 20 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal 10.7 A 12 V Förbättring PowerDI5060-8, DMP AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 8.7 A 12 V Förbättring UDFN AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal 0.25 A 450 V Förbättring SOT-223 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal 300 mA 30 V Förbättring SOT-23 AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal Dubbel 3.1 A 20 V Förbättring UDFN-2020 AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex Typ N Kanal 100 A 40 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q200, AEC-Q100
